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Am 31. August wurde in der Pilot-Freihandelszone Qingdao (Deutsch-Chinesischer Ökopark) der Grundstein für eine F&E- und Produktionsbasis für hochwertige Halbleiter gelegt. In dem Zentrum sollen unter anderem Bipolartransitoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) der siebenten Generation sowie die in China modernsten Intelligenten Power-Module (IPM) entwickelt und hergestellt werden, wichtige Bauteile unter anderem für die Produktion von Robotern und Automatisierungstechnologie, intelligenter weißer Ware oder für Fahrzeuge mit alternativen Antrieben und die Herstellung alternativer Energie. Die Halbleiterbasis ist eins von zehn Industrieclustern, die Qingdao für die Entwicklung neuer Branchen geplant hat.
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Die Entwicklungs- und Produktionsbasis hat eine Fläche von 43 Mu (1 Mu = 1/15 ha). Gebäude mit einer Bruttogeschossfläche von 73.300 qm werden errichtet. Etwa eine Milliarde Yuan werden in das Vorhaben investiert. Nach vollständiger Inbetriebnahme soll die Jahreskapazität bei fünf Millionen intelligenten Leistungsmodulen liegen und ein Produktionsvolumen von 1,6 Milliarden Yuan erreicht werden.